Activitatea ştiinţifică

Conducător ştiinţific al proiectului instituţional „Cercetarea proceselor dinamice în sistemul Pămînt-troposferă-ionosferă-magnitosferă” este dl dr. conf. Eugeniu PLOHOTNIUC.

În anul 2011 au fost realizate:

1. A fost proiectat şi elaborat  sistemul automatizat de recepţie Doppler de sondare al ionosferei care funcţionează în banda de frecvenţe 1-30 MHz. Înregistrarea datelor reflectate de la ionosferă se efectuază cu ajutorul receptorului de tip CATRAN stabilizat în frecvenţă cu o precizie de ±5×10^-11. Au fost elaborate programele necesare pentru stocarea datelor experimentale.
2. Au fost efectuate cercetări experimentale de sondare a ionosferei cu ajutorul sistemului automatizat de recepţie Doppler. Au fost înregistrate caracteristicele temporale ale variaţiilor frecvenţei Doppler. Au fost elaborate programele necesare pentru obţinerea spectrelor semnalelor recepţionate. Rezultatele obţinute au fost prezentate în patru articole. Lucrarea „Ionosonda cu modulaţie liniară a frecvenţei, utilizată pentru cercetarea propagării undelor radio prin ionosferă” a fost prezentată la a XV-a Expoziţie Internaţională al Cercetărilor, Inovaţiilor şi Transferului Tehnologic (Iaşi, România, 8-10 iunie 2011),unde a fost menţionată cu diplomă şi medalie de aur.

Conducători ştiinţifici al proiectului instituţional “Elaborarea şi cercetarea tehnologiilor combinate de sinteză, depunere şi  modificare a proprietăţilor radiative şi conductive a micro- şi nanostructurilor semiconductoare II-VI” sunt dl dr., conf. univ. Valeriu GUŢAN şi dl dr., conf. univ. Ion OLARU.

În anul 2011 au fost realizate:

1. A fost modernizată instalaţia experimentală pentru sinteza structurilor semiconductoare cu aplicarea plasmei obţinută prin descărcare electrică în impuls:
2. A fost modificată schema blocului electronic pentru obţinerea plasmei cu scopul realizării posibilităţii de stabilire a frecvenţelor fixate de repetiţie.
3. A fost elaborat un sistem nou de obţinere a plasmei de tensiune înaltă prin descărcare de tensiune joasă într-un circuit inductiv.
4. Dispozitivul electronic elaborat asigură obţinerea plasmei de tehniune înaltă (10-40 kV) prin reglarea curentului de descărcare a sursei de tensiune joasă (U = 800 V, I = 0-5 A).Prioritatea principiului propus constă în:
   • simplitatea obţinerii plasmei fără blocuri de tensiune înaltă;
   • posibilitatea dirijării procesului de sinteză prin reglarea curentului
   • crearea unor condiţii experimentale inofensive.
5. A fost proiectată şi elaborată o cameră experimental-tehnologică cu sistem de poziţionare spaţială şi sistem de termostabilizare a suportului probei.
6. Au fost realizate lucrări de testare a instalaţiei experimental tehnologice în baza noului bloc electronic şi a camerei tehnologice.
7. Au fost elaborate procedeele tehnologice de sinteză a structurilor semiconductoare II-VI micro şi nanocompozite în plasmă.
8. Au fost prezentate 2 exponate la Salonul The XV-th internaţional exibition of reaserch, innovation and technological transfer „Inventica 2011”, Iaşi, România, 8-10 iunie 2011.
   • Procedeu de obţinere a micro- şi nanostructurilor semiconductoare în plasmă obţinută prin descărcare electrică modulată.
   • GUŢAN, V., OLARU, I.,  RADCENCO, M., CERNELEANU, A.. Laser cu excimer XeCl pentru tehnologii de sinteză a structurilor semiconductoare.